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Samsung divulga planos de começar produção em massa no processo de 3nm GAAFET em 2021.

A Samsung anunciou planos de que pretende começar a fabricar transistores em massa no processo de 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field Effect) em 2021. Além disso, a empresa reiterou que a produção de 7nm EUV realmente começa ainda este ano, no segundo semestre. A tecnologia GAAFET vai ser uma sucessora do processo FinFET, como explica o Tom’s Hardware. Segundo …

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